长江存储正计划在武汉的Fab 3工厂实现首款9600 MT/s的LPDDR5X内存量产。这一进展标志着该公司首次切入高速移动内存领域，竞争对手包括三星和美光。自2025年10月以来，长江存储已经在Fab 2工厂开展第二代16Gb LPDDR5的研发和测试，速率为7500 MT/s，月产量约为5000片晶圆。
此次推出的9600 MT/s版本在速率上有显著提升，并引入了垂直通道晶体管（VCT）和4F²单元架构，显示出长江存储在先进DRAM架构方面的迅速进展。4F²架构作为当前技术竞争的重点，与传统的6F²架构相比，能够在相同芯片面积中容纳更多存储单元，理论上提高了存储密度和降低成本。此外，这一趋势与长鑫存储之前提出的4F² DDR5计划形成呼应，说明中国存储制造商正在大力投资这一新型架构。
有趣的是，美光曾对此理论持怀疑态度，认为4F²缺乏可行的微缩路径，而长江存储和长鑫存储的共同推动显然在挑战这一观点。研究机构Counterpoint Research的副总裁尼尔·沙阿指出，长江存储在晶圆对晶圆键合技术上的深厚技术积累，使其在向3D DRAM转型的过程中占据了优势位置。其独特的Xtacking技术将存储阵列与外围逻辑电路分别制造并再进行键合，减少了对高端光刻设备的依赖。 rb88在线娱乐
长江存储从NAND向DRAM的跨界推进，预示着中国存储产业正在从单一突破走向全品类竞争。如果9600 MT/s的LPDDR5X如期量产，它不仅能填补国内移动内存高端市场的空白，还可能在AI终端和旗舰手机市场为国产供应链打开新的机会。
